隨高壓、高溫、高頻等應用場景的增加，氧化鎵（Ga₂O₃）作為一種超寬禁帶半導體材料，已被認為是下一代功率半導體元件的有力競爭者，特別是在電動汽車、電網系統、航空航太等領域。相較於氣相生長的碳化矽與氮化鎵，氧化鎵單晶的製備可透過類似于矽單晶的熔融生長法來完成，因此擁有較大的降本潛力；目前產業界已實現4英寸氧化鎵單晶的量產，並有望在未來幾年擴大至6英寸。與此同時，基於氧化鎵材料的肖特基二極體與電晶體在結構設計、制程等方面近年來亦取得了突破性的進展，首批肖特基二極體產品預計將於2024年投放市場，有望成為首個規模商用的氧化鎵功率元件。
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