2026年科技發展10大趨勢 – 半導體前沿競逐

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隨著2nm進入量產,在先進製程商業競逐中,形成了向內追求更高電晶體密度、向外追求更大封裝尺寸的趨勢,同時強調異質整合能力,透過不同功能的多晶片堆疊與不同技術節點的結合,滿足高效能運算與人工智慧應用需求。

在追求更高電晶體密度的部分,半導體晶圓製造正式由FinFET轉進GAAFET,透過Gate-Oxide完整包覆矽通道,在追逐高強度算力同時實現更高效的電流控制,向外部分,2.5D與3D封裝技術提供多重晶片堆疊的高密度封裝解決方案,使晶片間互連更快速、功耗更低,為下一代資料中心及高性能運算領域帶來突破。

 

隨著各家2nm GAAFET進入量產,TSMC、Intel與Samsung則分別推出CoWoS/SoIC、EMIB/FOVEROS、I-Cube/X-Cube等2.5D/3D封裝技術,提供前後段整合代工服務,如何在產能利用率、可靠性、成本與良率間取得平衡與商業優勢,將是各大晶圓代工與封裝廠的核心挑戰,概念股我們留意日月光(3711)與京元電(2449)。

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