資料中心正經歷徹底的電力基礎設施變革，伺服器機櫃功率從千瓦級(kW)迅速攀升至兆瓦級(MW)，供電模式正轉向800V HVDC(高壓直流)架構，以最大限度地提高效率和可靠性，大幅減少銅纜用量，並支援更緊湊的系統設計，第三代半導體SiC/GaN正是實現這一轉型的關鍵，多家半導體供應商已宣佈加入NVIDIA的800V HVDC計畫。
SiC主要應用於資料中心供電架構的前端、中端環節，負責處理最高電壓和最大功率的轉換操作，儘管目前SiC功率半導體在最高電壓額定值方面仍落後於傳統Si，但其具備優越的熱性能和開關特性，對於下一代的固態變壓器(SST)技術至關重要；GaN則憑藉高頻率、高效能優勢，在供電鏈路的中端和末端發揮重要作用，追求極致的功率密度和動態響應，預估第三代半導體SiC/GaN在資料中心供電中的滲透率在2026年將上升至17%，至2030年有望突破30%，概念股如:漢磊(3707)、嘉晶(3016)、環球晶(6488)與台達電(2308)。
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