【年度專欄】2020展望:DRAM 往 EUV 與下世代 DDR5 / LPDDR5 邁進,NAND 突破 100 層疊堆技術

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現有 DRAM 面臨摩爾定律已達物理極限的挑戰,製程已來到 1X / 1Y / 1Znm,進一步微縮不僅無法帶來大量的供給位元成長,反而成本降低的難度提升。DRAM 廠目前在 1Y 與 1Znm 製程將開始將單顆晶片顆粒的容量由現有主流 8Gb 提升至 16Gb,使得高容量模組的滲透率逐漸升高,並且有機會在 1Znm 開始導入 EUV 機台,逐漸取代現有的 double patterning 技術。以 DRAM 的世代轉換來說,DDR5 與 LPDDR5 將在 2020 年問世,進行導入與樣本驗證,相較於現有的 DDR4 / LPDDR4X 來說,將會更省電、速度更快。對於許多的資料中心營運商來說,降低功耗都是他們的首當要務,以降低營運費用,而DDR5目標就是提供資料中心所需的增強效能以及功率管理功能,為400GE的網路速度提供良好支援。

NAND Flash 市場將首次挑戰突破 100 層的疊堆技術,並將單一晶片容量從 512Gb 提升至 1Tb 門檻。主要為因應 5G、AI、邊緣運算等持續發展,除了智慧型手機、伺服器/ 資料中心需要更大的儲存容量外,更要求單一儲存裝置的體積進一步微縮。除了 NAND Flash 晶片的進化,智慧型手機上儲存介面也會從現有 UFS 2.1 規格,升級至更快速的 UFS 3.X 版本。在伺服器 / 資料中心方面,SSD 產品也會導入比 PCIe G3 速度與效能快 1 倍的 PCIe G4 介面。兩樣新產品明年將鎖定高階市場。

相關概念股包括了:南亞科(2408)、華邦電(2344)、群聯(8299)、威剛(3260)等…值得投資人留意。