【翁士峻 每週專欄】漢磊、嘉晶第三代半導體大擴產,相關族群成為市場買盤焦點

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漢民集團旗下晶圓代工廠漢磊及其轉投資嘉晶15日召開法人說明會,漢磊暨嘉晶董事長徐建華表示,今年是第三代化合物半導體應用起飛元年,將積極擴產因應強勁需求。

其中,漢磊將在未來二~三年投資0.8~1.0億美元,增加6吋碳化矽(SiC)產能達5~7倍,氮化鎵(GaN)月產能明年倍增至2,000片。嘉晶預計將投入5,000萬美元擴產,將SiC基板產能擴增7~8倍,GaN基板產能計畫提高2~2.5倍。

第三代半導體是目前高科技領域最熱門的話題,在 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 發展中扮演不可或缺的角色,在半導體材料領域中,第一代半導體是「矽」(Si),第二代半導體是「砷化鎵」(GaAs),第三代半導體(又稱「寬能隙半導體」,WBG)則是「碳化矽」(SiC)和「氮化鎵」(GaN)。寬能隙半導體中的「能隙」(Energy gap),用白話的方式說明,代表著「一個能量的差距」,意即讓一個半導體「從絕緣到導電所需的最低能量」。

隨著 5G、電動車時代來臨,科技產品對於高頻、高速運算、高速充電的需求上升,矽與砷化鎵的溫度、頻率、功率已達極限,難以提升電量和速度;一旦操作溫度超過 100 度時,前兩代產品更容易故障,因此無法應用在更嚴苛的環境;再加上全球開始重視碳排放問題,因此高能效、低能耗的第三代半導體成為時代下的新寵兒。

 

【第三代半導體族群

代號

公司

相關佈局

2330

台積電

納微、意法半導體等GaN晶片投片生產

2303

聯電

入股頎邦目標佈局該領域

3707

漢磊

將在未來二~三年投資0.8~1.0億美元,增加6吋碳化矽(SiC)產能達5~7倍,氮化鎵(GaN)月產能明年倍增至2000片

3016

嘉晶

預計將投入5000萬美元擴產,將SiC基板產能擴增7~8倍,GaN基板產能計畫提高2~2.5倍

5483

中美晶

攜手宏捷科合作佈局矽基氮化鎵

6182

合晶

評估相關矽晶圓生產

6488

環球晶

積極跨入SiC晶圓生產並和GTAT簽長約

8028

昇陽半導體

GaN、SiC晶圓再生與薄化

3105

穩懋

碳化矽基氮化鎵晶圓代工

3711

日月光投控

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